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PVT晶體生長爐

自主研發、生產的PVT晶體生長設備

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晶體生長:通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)生長碳化硅晶體。

感應將坩堝加熱至2,000℃以上,控制籽晶處溫度略低于下部微粉處,在坩堝內形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的Si2C、SiC2、Si等物質,在溫度梯度驅動下到達溫度較低的籽晶處,并在其上結晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。